FSB与内存频率有什么关系
FSB与内存频率有什么关系
说到内存其中一个重要参数就是内存频率，以及一个重要概念FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系,接下来为大家介绍下CL(时序)可选值的设置，希望能帮到您!
FSB与内存频率的关系
首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz
对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所 以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系
强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置
内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传 送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或 2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值 为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD : RAS to CAS Delay
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
补充：内存常见维护保养技巧
1.对于由灰尘引起的内存金手指、显卡氧化层故障，大家应用橡皮或棉花沾上酒精清洗，这样就不会黑屏了。
2.关于内存混插问题，在升级内存时，尽量选择和你现有那条相同的内存，不要以为买新的主流内存会使你的电脑性能很多，相反可能出现很多问题。内存混插原则：将低规范、低标准的内存插入第一内存插槽(即DIMM1)中。
3.当只需要安装一根内存时，应首选和CPU插座接近的内存插座，这样做的好处是：当内存被CPU风扇带出的灰尘污染后可以清洁，而插座被污染后却极不易清洁。
4.安装内存条，DIMM槽的两旁都有一个卡齿，当内存缺口对位正确，且插接到位了之后，这两个卡齿应该自动将内存“咬”住。 DDR内存金手指上只有一个缺口，缺口两边不对称，对应DIMM内存插槽上的一个凸棱，所以方向容易确定。而对于以前的SDR而言，则有两个缺口，也容易确定方向，不过SDR已经渐渐淡出市场，了解一下也无妨;而拔起内存的时候，也就只需向外搬动两个卡齿，内存即会自动从DIMM(或RIMM)槽中脱出。
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查看内存标签：正品金士顿内存标签印刷清晰规则，而假货则明显粗糙浅淡，字体显得比较单薄。另外，真假金士顿内存标签的排版规则也有很大出入，请仔细观察。
查看内存颗粒：通过图片中金士顿内存颗粒可以清晰看出，正品金士顿内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，与正品形成鲜明对比。对于一款内存，PCB电路板仅占内存成本的百分之十左右，而内存颗粒才是决定内存价格的重点。因此，通常假货的PCB基本也是正规代工厂制造，而颗粒则采用行话里的“白片”，就是我们所说的次品，价格低廉，但稳定性和兼容性很差。
查看注册商标标识：正品金士顿的注册商标“R”的周围清楚的印有由"KINGSTON"英文字母组成的圆圈，而假货则明显胡乱仿制的一个圆框而已。还有一点，仔细观察标签内部的水印，假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹，证明是后印刷的，这在正品金士顿内存中是不会出现的。
金手指辨认：下为正品金士顿内存的金手指。正品金士顿内存的金手指色泽纯正、紫色方框内的金手指连接部位经过镀金;假冒金士顿内存的金手指色泽略显暗淡，红色方框内的金手指连接处为PCB板的铜片，并未镀金。
PCB板上的字体辨认：左为正品金士顿内存。正品金士顿内存的字体均匀，无明显大小区别，并且有相关的认证符号。假冒金士顿内存的字体不一，无相关认证符号。
K字标签：这是使用单反相机进行微距拍摄，同时打开闪光灯拍摄真假标签，正品标签的镭射图案能看出密集的银粉颗粒，K字并不明显，背景呈蓝色。而假冒标签的K字十分明显，银粉颗粒的密度较低。
翻转角度查看防伪：正品金士顿内存的镭射防伪标签，通过变换角度能呈现出两种图案，第一种图案为上半沿带银粉效果，下半沿呈半个K渍;第二种图案为下半沿带银粉效果，上半沿呈半个K字。而假冒标签就只有一种图案，就是整个呈现出来一个很明显的K字。
查询序列号：验证方式内存产品编辑短信“M+产品SN序列号”发送至0212 333 0345
按照金士顿官方的说法，我输入“M36785241571636”发到“02123330345”即可查询内存真伪!